存储半导体板块正面临沉重的调整压力。7月13日，美国与韩国市场上多家相关企业股价大幅下挫，原因被归结为投资者心理变化所引发的三大消极因素。

反映全球存储半导体股走势的美国ETF“Roundhill Memory ETF”当日暴跌9%，较6月22日的峰值已累计下跌约三成。该产品于4月初成立时曾创下资金流入纪录，备受瞩目。

个股跌幅更为剧烈。在首尔股市，SK海力士现货股价重挫15%，其在美国纳斯达克交易的ADR亦下跌9%。美国市场上，闪迪股价下滑13%，美光科技下跌4%。

第一重隐忧来自供给端。SK海力士拟将ADR所募265亿美元投入龙仁新厂等项目，以扩充高带宽存储器产能。三星电子则在13日当天宣布，其龙仁半导体新厂将提前一至两年投产，目标为2029年。各厂商近乎同时启动的增产行动，令市场担忧供过于求可能提前到来。

晨星分析师JingJieYu预计，2027至2028年产能将大幅增加，因此2029年将迎来周期转换。

第二重隐忧指向中国企业。长鑫存储与长江存储的技术突破与产能扩张，引发业界对“中国冲击”的警惕。有消息称苹果公司正考虑采购中国厂商的通用存储产品，这可能打破西方企业当前享有的高收益格局。

第三重隐忧源自需求端的技术变革。谷歌于今年3月发布“TurboQuant”压缩技术，声称可将AI模型所需内存容量降至最多六分之一。这类节约技术的出现，加深了市场对未来存储需求的疑虑。