記憶體半導體板塊正面臨沉重的調整壓力。7月13日，美國與韓國市場上多家相關企業股價大幅下挫，原因被歸結為投資者心理變化所引發的三大消極因素。

反映全球記憶體半導體股走勢的美國ETF「Roundhill Memory ETF」當日暴跌9%，較6月22日的峰值已累計下跌約三成。該產品於4月初成立時曾創下資金流入紀錄，備受矚目。

個股跌幅更為劇烈。在首爾股市，SK海力士現貨股價重挫15%，其在美國納斯達克交易的ADR亦下跌9%。美國市場上，閃迪股價下滑13%，美光科技下跌4%。

第一重隱憂來自供給端。SK海力士擬將ADR所募265億美元投入龍仁新廠等項目，以擴充高頻寬記憶體產能。三星電子則在13日當天宣布，其龍仁半導體新廠將提前一至兩年投產，目標為2029年。各廠商近乎同時啟動的增產行動，令市場擔憂供過於求可能提前到來。

晨星分析師JingJieYu預計，2027至2028年產能將大幅增加，因此2029年將迎來週期轉換。

第二重隱憂指向中國企業。長鑫存儲與長江存儲的技術突破與產能擴張，引發業界對「中國衝擊」的警惕。有消息稱蘋果公司正考慮採購中國廠商的通用記憶體產品，這可能打破西方企業當前享有的高收益格局。

第三重隱憂源自需求端的技術變革。谷歌於今年3月發布「TurboQuant」壓縮技術，聲稱可將AI模型所需記憶體容量降至最多六分之一。這類節約技術的出現，加深了市場對未來記憶體需求的疑慮。